描述 N沟道增强型功率MOSFET采用VitoMOSⅡ技术制造,具有更低的导通损耗和开关损耗以及的开关性能。该产品可广泛应用于快充等领域。 特性 增强型 低导通电阻RDS(on) @ VGS=4.5 V VitoMOS®ⅡTechnology 切换快, 无铅电镀;通过无铅认证;无卤素
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场效应管MOS管
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