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威兆粤宇代理VSE007N04MS-G N沟道功率MOSFETMOS管

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描述
N沟道增强型功率MOSFET采用VitoMOSⅡ技术制造,具有更低的导通损耗和开关损耗以及的开关性能。该产品可广泛应用于快充等领域。

 
特性
 
增强型
低导通电阻RDS(on) @ VGS=4.5 V
VitoMOS®ⅡTechnology
切换快,
无铅电镀;通过无铅认证;无卤素

深圳市粤宇电子有限公司为你提供的“威兆粤宇代理VSE007N04MS-G N沟道功率MOSFETMOS管”详细介绍
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